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Erzielen Sie beim Polieren von Siliziumkarbid-Wafern außergewöhnliche Einsparungen bei der Aufschlämmung

Werkzeugmacher streben bei der Verarbeitung superharter Substrate in jeder Phase des Wafer-Herstellungsprozesses einen gleichmäßigen Materialabtrag mit minimaler Oberflächenbeschädigung an. Siliziumkarbid (SiC), das bei Halbleiterherstellern, die Effizienzprobleme bei der Halbleiterbearbeitung lösen wollen, große Aufmerksamkeit erregt hat, stellt eine große Herausforderung dar, wenn es darum geht, das Material effektiv und ohne Beschädigung der Oberfläche zu polieren.
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Achieve up to 70% Slurry Savings when Polishing SiC Wafers

 

SiC ist extrem hart und spröde. Wenn Wafer mit ungeeigneten Materialien oder übermäßiger Kraft bearbeitet werden, können sie Risse, Defekte und Abplatzungen aufweisen, was zu erheblichen Einnahmeverlusten führen kann. 

 

Waferhersteller verwenden traditionell in der Endphase chemisch-mechanische Polierschlämme (CMP), um kratzerfreie, atomar glatte Waferoberflächen zu erhalten. Der CMP-Schritt ist jedoch für Waferhersteller mit erheblichen Kosten verbunden, die aufgrund von chemischen Abfällen und Polierzeit bis zu 50 % der Gesamtkosten für die Fertigstellung des Wafers ausmachen. Entdecken Sie die einzigartige Lösung von Hyperion, die Waferherstellern dabei hilft, ihre Siliziumkarbid-Polierprozesse effizient zu verbessern.  

 

Innovationen im Polierprozess

 

Im letzten Polierschritt verwenden Waferhersteller häufig CMP-Schlämme, um die gewünschte Oberflächenbeschaffenheit zu erzielen, ohne Schäden unter der Oberfläche zu verursachen. Obwohl CMP effektiv ist, produziert es viel chemischen Abfall, was die Hersteller dazu zwingt, Verfahren weiterzuentwickeln, um die Nachhaltigkeitsbemühungen aufrechtzuerhalten. Zusätzlich zu den Kosten für chemische Abfälle benötigt CMP viel Zeit, um einen Wafer effektiv zu polieren, was zu potenziellen Engpässen beim Polierprozess von SiC-Wafern führt. Dies ist besonders dann eine Herausforderung, wenn Waferhersteller versuchen, die Nachfrage der Branche zu decken.

 

Eine Schlammschleifmaschine in Aktion, die in einer Produktionsumgebung ein kreisförmiges Objekt präzise formt.

Eine Schlammschleifmaschine in Aktion, die in einer Produktionsumgebung ein kreisförmiges Objekt präzise formt.

 

Hyperion Materials & Technologies hat Quantis™ Polierschlämme entwickelt, eine Reihe einzigartiger mikrogeätzter Diamant-Schlämme mit außergewöhnlich hohen Materialabtragsraten., um den abschließenden Polierprozess von Siliziumkarbid zu innovieren. Quantis stellt sicher, dass hochwertige Epitaxieschichten die strengen Anforderungen der Halbleiterindustrie erfüllen, während die Oberflächenrauheit reduziert und die Polierzeit von superharten Substratwafern verkürzt wird. Durch die Einführung eines zweistufigen Polierverfahrens mit Quantis Polierschlämmen können Waferhersteller bis zu 70 % der Produktionskosten einsparen und so ihre Betriebsabläufe kosteneffizienter gestalten.

 

Die Zukunft der SiC-Wafer-Verarbeitung erschließen 

 

Erfahren Sie, wie die Quantis Polierschlämme von Hyperion den Herstellungsprozess von SiC-Wafern von Waferherstellern verbessern können. Erfahren Sie, wie diese innovative Aufschlämmung Werkzeugherstellern die Möglichkeit bietet, die Fertigungseffizienz zu steigern, Kosten zu senken und eine überlegene Oberflächenqualität zu erzielen. Laden Sie den technischen Artikel herunter, um mehr über die Quantis-Technologie, die Testergebnisse und die Umsetzung einer effektiven zweistufigen Polierstrategie zu erfahren.

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